如何看待 : 《颠覆性！速度比 U 盘快万倍 "第三类存储技术"解决保密和传输的矛盾》

[m939594960]

写入速度比目前 U 盘快一万倍，数据刷新时间是内存技术的 156 倍，并且拥有卓越的调控性，可以实现按照数据有效时间需求设计存储器结构……经过测试，研究人员发现这种基于全二维材料的新型异质结能够实现全新的第三类存储特性。

就算写入速度 20M/s 的 U 盘 一万倍 195GB/S

这是真的么?以后就没有内存什么事了?直接研究硬盘了??

链接:http://tech.ifeng.com/a/20180413/44947494_0.shtml

[xupefei]

@yukiww233 #14 科学界就是这样的。科学不考虑成本，因为成本是工业界的问题。实验室里的东西比群众见到的要先进几十年。

@Shura #19 无脑记者+无脑观众的结果。现在那些做科普的也抱怨，讲新技术普通人根本听不懂。久而久之，普通人越来越不愿意听科普了。

[Shura]

@ZAN0029 其实这些论文能在顶级期刊上发表足以证明其具有含金量，这表明我国科研实力的进步。可惜被标题党给害了。上次科大团队做的是量子模拟器，他们团队发的新闻稿写的也是量子模拟器，到国内媒体那里就变成通用量子计算机了，然后知乎很多人连 paper 的标题都没看就直接开喷。。。

[Shura]

@xupefei 很无奈的现实，这样只会导致反智主义在社会盛行，科普十次抵不过标题党一次啊。

[lightening]

看了 @xupefei 贴的节选，那篇报道确实非常不靠谱。

The issue of severe speed attenuation in a memory based on 2D materials was also solved. The writing speed was significantly enhanced to be comparable with commercial DRAM technology, approximately 10^6 times faster than other memories based on 2D materials.

大致翻译：
2D 材料导致的性能损失问题被解决了。写入速度和现在的商业 DRAM 大致相当，大约是现在的 2D 材料器件的 10^6 倍。

就是，以前 2D 器件比当代 DRAM 慢 100 万倍，现在这个差距被填平了。这个 2D 材料，相比 DRAM 的好处是数据保存的时间可以大大延长；相比 Flash 的好处是写入速度大大加快（与内存相当）。

[xupefei]

@lightening 感谢纠正，我漏看了前一句。这个新技术的速度等于 RAM 速度（比 SSD 快），数据有效时间比 RAM 长。

[crazycen]

一看标题，就知道是国产东西！已经免疫！

[mcluyu]

RAM 直接跟 CPU 通讯才那么快，不直接连在 CPU 上面，那还的研究一个超快的主控以及相关的接口带宽，不过真要到那时候，PC 的芯片也会类似手机 SOC 那样发展吧，CPU、GPU、RAM （不能叫 RAM 了，就是一个既能存储又能当内存用的东西了）都封装在一起了。

[ProkillerJ]

@lightening 这次的应该是 Nature Nanotechnology，nature 子刊（也很厉害了