如何看待 : 《颠覆性！速度比 U 盘快万倍 "第三类存储技术"解决保密和传输的矛盾》

[m939594960]

写入速度比目前 U 盘快一万倍，数据刷新时间是内存技术的 156 倍，并且拥有卓越的调控性，可以实现按照数据有效时间需求设计存储器结构……经过测试，研究人员发现这种基于全二维材料的新型异质结能够实现全新的第三类存储特性。

就算写入速度 20M/s 的 U 盘 一万倍 195GB/S

这是真的么?以后就没有内存什么事了?直接研究硬盘了??

链接:http://tech.ifeng.com/a/20180413/44947494_0.shtml

[hatw]

新技术到实际应用都要 5 到 10 年。。。。。所以。。。再说接口标准还都没配套这么高的速度呢。。。CPU 还没说累呢

[ericls]

@hatw 5 年 也很快啊

[vicesa]

intel optane 了解一下

[m939594960]

@vicesa 这玩意最高也就是个 ssd 的速度吧

[aminic]

系统总线了解一些谢谢

[kingcos]

前几年什么石墨烯电池呢？
感觉都是搞个大新闻…

[flynaj]

基本就是骗经费的

[zjp]

带"颠覆性"的一律按标题党处理。不觉得现在的科技发展还会有颠覆性的事件发生。
没有量产的东西对于我等不是搞科研的人来说没多大意义

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还有一个关键参数存储密度没有提

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@m939594960 这个就是 ssd，主要特点之一是 latency 比一般的 nand flash ssd 要低和稳定很多

[lightening]

张卫、周鹏这个团队确实很厉害。2013 年的时候做出了世界第一个半浮栅晶体管（ SFGT ），论文发在 《 Science 》上。论文下载挺贵的，就看下标题：《 A semi-floating gate memory based on van der Waals heterostructures for quasi-non-volatile applications 》，应该是基于半浮栅晶体管的具体应用。距离上次发半浮栅晶体管的论文过去了 5 年，终于做出了一个具体应用。

这次论文发在《 Nature 》上： https://www.nature.com/articles/s41565-018-0102-6

[n1dragon]

呵呵。量子卫星的笑话还没闹完，又来个“第三类存储技术”。放卫星也不能这么快吧。

[lightening]

@lightening 不过看看闪存在 1980 年被发明，真的制作成 U 盘是 2000 年左右的事了。这是半导体物理器件上的突破，离做成商品还差很远。

[yukiww233]

intel samsung 的实验室里肯定有大把的黑科技...不谈物料生产成本以及量产可能性就是耍流氓

[xupefei]

量子卫星和这次的存储器成果都发在 Nature 上，楼上某几位是何处高人，有资格看不上这些东西？对科学要保持敬畏。

@lightening #11 PDF: https://file.io/36SsaA

[saran]

牙膏厂会给这么好的 CPU 我们用？

[xupefei]

这篇论文的结论里如是说：
we have demonstrated a quasi-non-volatile 2D SFG memory technology that fills the timescale gap between volatile and non-volatile memory technologies. A much longer refresh time was achieved (156 times longer than DRAM), which will decrease the power consumption caused by frequent refresh operations. The demands of various refresh times in the timescale gap (from 64ms to 10 years) could be satisfied by further band engineering the van der Waals heterostructures. The issue of severe speed attenuation in a memory based on 2D materials was also solved. The writing speed was significantly enhanced to be comparable with commercial DRAM technology, approximately 10^6 times faster than other memories based on 2D materials. In addition, we anticipate that quasi-non-volatile memory will support high-speed and low-power RAM.

重要性有两点：1 ） 10 年一次的刷新时间，比 RAM 长多了 2 ）比现存的 RAM 读写速度快一百万倍。

[xupefei]

@xupefei #17 “现存的 RAM ” -> “现存的已商用的 RAM ”

[Shura]

@xupefei 确实，我感觉现在的社会反智主义越来越流行了。

其实这类技术都是被一些无良网站的标题党给害了，导致普通人一看到标题就想喷。复旦关于这个的新闻稿标题就很正常。“剪裁数据有效期！复旦大学开创研发第三类存储技术 微电子学院张卫、周鹏团队成果在《自然·纳米技术》发表” http://news.fudan.edu.cn/2018/0410/45581.html

[ZAN0029]

对啊 光看标题我差点以为大跃进来了


@Shura