HEMT:指高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor),一种利用异质结结构获得高载流子迁移率的场效应晶体管,常用于射频(RF)/微波放大器、高频低噪声器件与功率器件(如 GaAs HEMT、GaN HEMT)。
/hɛmt/
HEMTs are widely used in RF amplifiers.
HEMT 广泛用于射频放大器中。
Because GaN HEMTs can handle high power and high frequency, they are common in modern radar and 5G base stations.
由于氮化镓 HEMT 能在高功率与高频条件下工作,它们常见于现代雷达与 5G 基站中。
HEMT 来自首字母缩略词 High Electron Mobility Transistor(高电子迁移率晶体管)。该术语在半导体与微波器件领域中形成并普及,用于强调其通过异质结提高电子迁移率、从而提升高频性能的特点。