EPITAXY

定义（Definition）

外延生长 / 外延：一种晶体生长方式，使新形成的晶体薄层在基底晶体表面按照其晶格取向有序生长，常用于半导体与薄膜材料制备。（该词在材料科学中最常见；在不同语境下也可能有更具体的分类，如气相外延、分子束外延等。）

发音（Pronunciation, IPA）

/ˌɛpɪˈtæksi/

例句（Examples）

Epitaxy is used to grow thin semiconductor layers on silicon wafers.
外延生长用于在硅晶圆上生长薄的半导体层。

By carefully controlling temperature and pressure, the researchers achieved epitaxy with low defect density, improving device performance.
通过精确控制温度和压力，研究人员实现了低缺陷密度的外延生长，从而提升了器件性能。

词源（Etymology）

epitaxy 来自希腊语构词：**epi-**（“在……之上”）+ taxis（“排列、秩序”），字面含义接近“在其上有序排列”，对应外延薄层在基底晶格上按取向“排队生长”的概念。

相关词（Related Words）

• Crystal
• Crystallography
• Deposition
• Film
• Lattice
• Semiconductor
• Substrate
• Thin

文学作品与著名文本示例（Literary Works）

• CRC Handbook of Chemistry and Physics（常见材料与物性条目中涉及外延相关数据与术语）
• Sze and Ng, Physics of Semiconductor Devices（半导体器件经典教材，常讨论外延层在器件结构中的作用）
• Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials（材料手册类参考书，含外延生长与相关工艺概述）