Gate Charge

释义 (Definition)

Gate charge（栅极电荷）：在功率器件（常见如 MOSFET/IGBT）中，把栅极从关断状态驱动到某一栅极电压、并完成导通所需要“注入”的总电荷量（常写作 Qg，单位通常为 nC）。它会影响开关速度、栅极驱动电流需求以及驱动损耗。（该词在不同语境下也可能泛指“栅极相关的电荷”，但工程上多指数据手册中的 Qg。）

发音 (Pronunciation, IPA)

/ɡeɪt tʃɑːrdʒ/

例句 (Examples)

The MOSFET has a low gate charge, so it can switch quickly.
这个 MOSFET 的栅极电荷很低，所以它能快速开关。

When choosing a gate driver, you must consider the device’s gate charge and the required switching frequency to avoid excessive power loss.
选择栅极驱动器时，必须考虑器件的栅极电荷以及所需的开关频率，以避免过大的功率损耗。

词源 (Etymology)

Gate 原意是“门、入口”，在电子学里借用来指晶体管的“栅极”，像“控制之门”一样调控电流通断；charge 来自表示“装载、负荷”的词根，在物理里指“电荷”。两者合起来的 gate charge 就是“栅极需要被‘装入’的电荷量”，是电力电子与开关器件分析中的常用术语。

相关词 (Related Words)

• Gate
• Charge
• Mosfet
• Igbt
• Gate Driver
• Capacitance
• Switching Loss
• Threshold Voltage
• Miller Plateau

文学与著作中的用例 (Notable Works)

• The Art of Electronics（Horowitz & Hill）：在讲解 MOSFET/开关驱动与速度限制时会讨论与 gate charge（Qg）相关的概念。
• Power Electronics: Converters, Applications, and Design（Ned Mohan 等）：在器件选择与栅极驱动章节中常出现 gate charge 术语。
• High-Speed Digital Design（Howard Johnson & Martin Graham）：讨论高速开关与驱动能力时会涉及与“驱动电荷/等效电容”相关的表述，工程语境中常与 gate charge 一并使用。