Reverse bias(反向偏置):在二极管或 PN 结两端施加与导通方向相反的电压,使结区不易导通、耗尽层加宽,电流通常只剩很小的反向漏电流(除非发生击穿,如齐纳/雪崩击穿)。
/rɪˈvɝːs ˈbaɪəs/
Applying reverse bias to the diode stops current from flowing.
对二极管施加反向偏置会阻止电流流动。
In a reverse-biased p–n junction, the depletion region widens, and only a tiny leakage current remains until breakdown occurs at a high enough voltage.
在反向偏置的 PN 结中,耗尽层会变宽,只有极小的漏电流存在,直到电压足够高时发生击穿。
reverse 来自拉丁语 *re-*(“向后、再”)与 vertere(“转”),引申为“反向”。bias 原指“倾斜/偏向”,在电子学中借用为“外加的直流偏置电压/电流”。合起来 reverse bias 即“施加在相反方向的偏置”。