@
inorobot NAND Flash 的存储单元是由浮栅晶体管组成的，数据是通过控制浮栅中的电荷数量来存储的。
写入数据时，会向控制栅极施加特定的电压，这会使电子穿过绝缘层进入浮栅，从而在浮栅中积累电荷。不同的电荷量对应于存储的不同数据位（例如，在 TLC 或 QLC NAND Flash 中，一个存储单元可以存储多个位的数据）。读取数据时，会施加较小的电压到控制栅极，根据由此产生的电流或电压变化来判断浮栅中的电荷状态，从而确定存储的数据。
存储单元就是个等效电容，电容存在漏电/自放电问题,长期不通电不刷新就会电压下降/电荷量剧烈变化
目前世面的 NAND 基本以下几种，存的状态越多主控越难纠错，因为每个存储单元实际存储的电荷量差不多所以存的状态越多意味着用来表示对应状态的电荷量区间越小也越难分辨，自然也因为自放电/漏电问题偏移而更容易出错，此外新工艺 3D 叠存储单元密度更大，假设极端情况下可能出现跨单元漏电情况，比如 A 单元的电荷大量跑到隔壁 B 单元，这样一出错就是两个单元甚至更多单元都出错
SLC (Single-Level Cell)：每个存储单元存储 1 位数据（ 0 或 1 ），具有最高的耐用性和最快的读写速度，但成本也最高。
MLC (Multi-Level Cell)：每个存储单元存储 2 位数据，性能和耐用性略低于 SLC ，但成本更低。
TLC (Triple-Level Cell)：每个存储单元存储 3 位数据，进一步提高了存储密度，但性能和耐用性相比 SLC 和 MLC 较低。
QLC (Quad-Level Cell)：每个存储单元存储 4 位数据，提供了最高的存储密度，但性能和耐用性是四种类型中最低的。
所以为了保证单元里面信号的可辨识度,现在 TLC/QLC 主控通电时会频繁纠错和刷新存储单元(相较以前 SLC/MLC)，但频繁刷新加剧写放大和单元磨损。再加上 SSD 本身纯电路组成，外置供电电源不稳或主控故障短路高压击穿可能会连带存储单元（ NAND ）一起坏比如直接全击穿了，与传统硬盘坏个主控板磁碟部分还是能拆下来做数据恢复相比，确实更适合一直通电用,存储游戏/热数据,
长期冷数据断电存放,还是其他方案更好.