Band-Bending

释义 Definition

band-bending（能带弯曲）：指在半导体材料的表面、界面或结附近，由于电荷重新分布与电势变化，使导带/价带的能量随位置发生“上弯”或“下弯”的现象。它常用来解释金属-半导体接触（肖特基结）、PN 结、MOS 结构中的势垒形成与载流子分布。（该术语主要用于固体物理/半导体器件语境。）

发音 Pronunciation (IPA)

/ˈbænd ˌbɛndɪŋ/

例句 Examples

Band-bending happens near the surface of a semiconductor.
能带弯曲发生在半导体的表面附近。

Because of trapped charges at the interface, band-bending can create a barrier that strongly changes how easily electrons move across the junction.
由于界面处的陷阱电荷，能带弯曲会形成势垒，从而显著改变电子跨越结区的难易程度。

词源 Etymology

该词由 band（能带） 与 bending（弯曲）构成，是半导体物理中的直观描述性术语：把导带、价带在能量-位置图中的“倾斜/弯曲”形状形象化地称为“弯曲”。随着表面科学与半导体器件研究发展（尤其是金属-半导体接触、MOS 结构与界面态研究），该表达在技术文献中逐渐固定下来。

相关词 Related Words

• Semiconductor
• Bandgap
• Fermi Level
• Depletion Region
• Schottky Barrier
• Heterojunction
• Surface States
• Built-in Potential

文学与经典著作 Literary Works

• Physics of Semiconductor Devices（S. M. Sze & Kwok K. Ng）：在讲解金属-半导体接触、结与势垒时频繁涉及能带弯曲图像。
• Semiconductor Physics and Devices（Donald A. Neamen）：以较清晰的能带图解释界面电势与载流子分布，常用到 band-bending 概念。
• Solid State Electronic Devices（Ben G. Streetman & Sanjay Banerjee）：在 PN 结、MOS 电容与界面效应章节中使用能带弯曲来说明器件工作机理。