Depletion Region

定义 Definition

depletion region（耗尽区/空乏区）：在半导体 p-n 结或金属-半导体结中，靠近结界面的一段区域，因多数载流子（电子或空穴）扩散并复合而几乎“被耗尽”，只剩下固定的离化杂质离子，从而形成空间电荷区和内建电场。该区域宽度会随外加偏置变化（反向偏置变宽，正向偏置变窄）。

发音 Pronunciation (IPA)

/dɪˈpliːʃən ˈriːdʒən/

例句 Examples

The depletion region widens under reverse bias.
反向偏置下，耗尽区会变宽。

In a p-n junction, the built-in electric field across the depletion region controls carrier motion and strongly affects the diode’s I–V behavior.
在 p-n 结中，跨越耗尽区的内建电场控制载流子运动，并显著影响二极管的电流—电压特性。

词源 Etymology

depletion 来自动词 deplete（“耗尽、使减少”），源于拉丁语 dēplēre（把……倒空/用尽）；region 来自拉丁语 regio（区域、范围）。合起来字面意思就是“载流子被耗尽的区域”，在半导体物理里专指结附近缺少可自由移动多数载流子的那一段空间电荷区。

相关词 Related Words

• Junction
• P-N Junction
• Space-Charge Region
• Built-In Potential
• Reverse Bias
• Forward Bias
• Carrier
• Doping
• Electric Field
• Diode

文学与著作 Literary Works

• Physics of Semiconductor Devices（S. M. Sze & Kwok K. Ng）——在 p-n 结分析中系统讨论耗尽区宽度、空间电荷与电场分布。
• Semiconductor Device Fundamentals（Robert F. Pierret）——用直观模型讲解 depletion region 与二极管特性。
• Solid State Electronic Devices（Ben G. Streetman & Sanjay Banerjee）——基础半导体器件章节中反复出现该术语。
• Microelectronic Circuits（Sedra/Smith）——在二极管与晶体管的电路模型推导中涉及耗尽区与结电容概念。