Gallium Nitride

释义 Definition

氮化镓（常写作 GaN）：一种由镓和氮形成的化合物半导体材料。因其宽禁带、耐高温、耐高压与高电子迁移特性等优点，常用于LED（尤其蓝光/白光）、激光二极管、高频/高功率电子器件（如5G射频功放、快充电源）等领域。

发音 Pronunciation (IPA)

/ˈɡæliəm ˈnaɪtraɪd/

例句 Examples

Gallium nitride is widely used in modern LED lighting.
氮化镓被广泛用于现代LED照明。

Compared with silicon devices, gallium nitride transistors can switch faster and handle higher voltages, improving power efficiency.
与硅器件相比，氮化镓晶体管开关速度更快、可承受更高电压，从而提升电源效率。

词源 Etymology

Gallium（镓）源于拉丁语 Gallia（意为“高卢/法国”），元素镓在19世纪被发现后以此命名；nitride 来自 nitrogen（氮）加后缀 -ide（表示“化合物/阴离子”），合起来表示“氮化物”，因此 gallium nitride 即“镓的氮化物”。

相关词 Related Words

• Semiconductor
• Wide-Bandgap
• Silicon
• Silicon-Carbide
• Transistor
• Diode
• LED
• Power-Electronics

文学与著作中的出现 Literary & Notable Works

• 《Semiconductor Optoelectronic Devices》（Pallab Bhattacharya）：在讲解LED与激光二极管材料体系时会讨论包括氮化镓在内的宽禁带材料。
• 《Physics of Semiconductor Devices》（S. M. Sze, Kwok K. Ng）：在涉及现代宽禁带器件与材料扩展内容时会提及GaN相关器件。
• 《Introduction to Semiconductor Materials and Devices》（M. A. Hasan 等教材类著作）：常以GaN作为典型第三代半导体材料实例，用于说明材料性质与器件应用。