Wide-bandgap

释义 Definition

“宽禁带（的）”：指半导体材料的带隙（bandgap）较大，因此通常能在更高温度、更高电压、更高频率或更强辐射环境下工作，并常用于功率电子与射频器件等领域。（常写作 wide-bandgap 或 wide bandgap；也可作名词短语 wide-bandgap semiconductor：宽禁带半导体。）

发音 Pronunciation (IPA)

/ˌwaɪd ˈbændˌɡæp/

例句 Examples

Wide-bandgap materials can handle higher voltages.
宽禁带材料可以承受更高电压。

Researchers are developing wide-bandgap semiconductors like SiC and GaN to improve the efficiency of power converters.
研究人员正在开发如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体，以提升电力变换器的效率。

词源 Etymology

该词为复合构词：wide（宽的）+ bandgap（能带间隙/带隙）。其中 band（能带）+ gap（间隙）用于固体物理与半导体语境，表示价带与导带之间的能量差；带隙“更宽”即为“宽禁带”。

相关词 Related Words

• Bandgap
• Semiconductor
• Silicon-carbide
• Gallium-nitride
• Power-electronics
• High-voltage
• Dielectric-breakdown
• MOSFET

文学与作品 Literary Works

• Fundamentals of Power Semiconductor Devices（B. Jayant Baliga）中讨论了宽禁带材料在功率器件中的优势。
• Power Electronics: Converters, Applications, and Design（Ned Mohan 等）在功率变换与器件材料发展部分常提及宽禁带器件。
• Semiconductor Device Fundamentals（Robert F. Pierret）在半导体基础概念（带隙、材料特性）相关章节为理解“宽禁带”提供背景。