化合物半导体:由两种或两种以上不同元素组成的半导体材料(常见如 III-V 族:GaAs、InP;II-VI 族:CdTe 等),相较于硅等元素半导体,往往具有更高的电子迁移率、可直接带隙(部分材料)、更适合制作高速器件、射频器件、光电器件(如激光器、LED、光探测器)等。也常用于高功率与高频应用。(该短语在更广义语境下也可指“由多个部分组成的半导体体系/结构”,但最常见指上述材料类别。)
Compound semiconductors are widely used in LEDs and laser diodes.
化合物半导体广泛用于 LED 和激光二极管。
Because gallium arsenide is a compound semiconductor with high electron mobility, it is often chosen for high-frequency microwave amplifiers.
由于砷化镓是一种电子迁移率很高的化合物半导体,它常被用于高频微波放大器。
/ˈkɑːmpaʊnd ˌsɛmɪkənˈdʌktər/
compound 源自拉丁语 componere(“放在一起、组合”),引申为“由多种成分构成的”;semiconductor 由 *semi-*(“半”)+ conductor(“导体”)构成,意为“导电性介于导体与绝缘体之间的材料”。合起来,compound semiconductor 直译即“由多种元素组合而成的半导体”。