关断损耗：在电力电子器件（如 MOSFET、IGBT）从“导通”切换到“关断”的瞬间，由于电压与电流在短时间内重叠而产生的能量损耗；通常与开关频率、驱动条件、器件特性及电路寄生参数有关。（也常写作 turn-off switching loss）
/ˈtɝːn ˌɔːf lɔːs/
The datasheet lists turn-off loss at several currents.
数据手册列出了不同电流条件下的关断损耗。
Because of the circuit’s stray inductance, the turn-off loss increased sharply at high switching frequency, reducing overall efficiency.
由于电路的寄生电感，在高开关频率下关断损耗显著上升，从而降低了整体效率。
该术语由 turn off（关断、关闭） 与 loss（损耗） 组合而来，属于电力电子与开关电源领域的常用工程表达，用来区分开关过程中的不同损耗类型（如 turn-on loss 与 turn-off loss）。
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