@nicholasxuu 我看他们有推荐 lac 胶好像，原来胶棒也可以好像成本还更低

@nicholasxuu 胶棒是什么？文具用的那种胶棒?

@yvescheung 下个月限速会恢复吗

直接二手 NVR

大陆用要实名吗

@bestkayle 1.74 智锐原厂加工？

江苏丹阳清锐 1.73 铂金膜 1000 左右一副，微信蔡司注册保修
据说是 2.5 折还是怎么
不要问我我不是推销

@xuelang CF 免费的

图片放 B2 上，用 CF 代理，B2 到 CF 的流量全免

给你个建议
加拿大交朋友也比较难
买个 VR 然后 VRChat 里面练习还能满足一定的社交需求，语言是交互里面学得快

然后工厂批量出货降低物流成本，也省事

同区域物流可以一起打包预留空间节省运费

机械硬盘的话，竖放多少可能会导致中心轴体不均匀磨损，加上 NAS 多盘工作时震动，可能导致加剧以后出现类似以前的磁道便宜问题，还有新出的叠瓦盘可能影响更大，SSD 的话无所谓

现在显示器没这么贵，看盘护眼的直接京东方，27 的大概五百？

@inorobot NAND Flash 的存储单元是由浮栅晶体管组成的，数据是通过控制浮栅中的电荷数量来存储的。

写入数据时，会向控制栅极施加特定的电压，这会使电子穿过绝缘层进入浮栅，从而在浮栅中积累电荷。不同的电荷量对应于存储的不同数据位（例如，在 TLC 或 QLC NAND Flash 中，一个存储单元可以存储多个位的数据）。读取数据时，会施加较小的电压到控制栅极，根据由此产生的电流或电压变化来判断浮栅中的电荷状态，从而确定存储的数据。


存储单元就是个等效电容，电容存在漏电/自放电问题,长期不通电不刷新就会电压下降/电荷量剧烈变化

目前世面的 NAND 基本以下几种，存的状态越多主控越难纠错，因为每个存储单元实际存储的电荷量差不多所以存的状态越多意味着用来表示对应状态的电荷量区间越小也越难分辨，自然也因为自放电/漏电问题偏移而更容易出错，此外新工艺 3D 叠存储单元密度更大，假设极端情况下可能出现跨单元漏电情况，比如 A 单元的电荷大量跑到隔壁 B 单元，这样一出错就是两个单元甚至更多单元都出错


SLC (Single-Level Cell)：每个存储单元存储 1 位数据（ 0 或 1 ），具有最高的耐用性和最快的读写速度，但成本也最高。
MLC (Multi-Level Cell)：每个存储单元存储 2 位数据，性能和耐用性略低于 SLC ，但成本更低。
TLC (Triple-Level Cell)：每个存储单元存储 3 位数据，进一步提高了存储密度，但性能和耐用性相比 SLC 和 MLC 较低。
QLC (Quad-Level Cell)：每个存储单元存储 4 位数据，提供了最高的存储密度，但性能和耐用性是四种类型中最低的。


所以为了保证单元里面信号的可辨识度,现在 TLC/QLC 主控通电时会频繁纠错和刷新存储单元(相较以前 SLC/MLC)，但频繁刷新加剧写放大和单元磨损。再加上 SSD 本身纯电路组成，外置供电电源不稳或主控故障短路高压击穿可能会连带存储单元（ NAND ）一起坏比如直接全击穿了，与传统硬盘坏个主控板磁碟部分还是能拆下来做数据恢复相比，确实更适合一直通电用,存储游戏/热数据,

长期冷数据断电存放,还是其他方案更好.

存点碎文件试试
我以前单反老照片存 SSD 放了三年，总共八九百张 jpg+raw 格式，开机后发现里面有大概五六十张 jpg 小图预览不出来，手动打开也是提示文件损坏了
NTFS 格式，windows 上面检查磁盘/修复磁盘都说没问题，hdtune 测速度也没掉速度，就是有文件坏了。